Шийдвэрийн эсрэг киноны үйлдвэрлэлийн үйл явц

Тоо технологийн явц
Өсөлт материал, хийн эх үүсвэрийг хангах: SIO ex of Soy of Soy of Soy of Soy of Soptents-ийн эсрэг хальстай, жийргэвчтэй материалыг боловсруулж, жийргэвчтэй.
Шөрмөсний эсрэг давхаргын хэлбэрийг бүрдүүлэх: Substrate Lay-ийн эсрэг талын тусгалын киноны эсрэг талын томоохон хэмжээний өсөлтийн давхаргыг ашиглана уу. Хичээлийн давхарга нь Sio Layer, Si Lay, Si Lever, Si Lever, SINEER, SINEER-т багтч болно. Хоёр - давхаргын давхаргын давхаргын давхаргыг (эргэцүүлэн бодох давхаргын давхарга) жишээ нь (PLASMA-ийн эсрэг уралдааны антисит, хоёрдугаар зэргийн антимерийн өсөлтийг үүсгэдэг. Тодорхой алхамууд дараах байдалтай байна.
Substrate боловсруулах: Substrate-ийн давхаргад хагас дамжуулагч цэвэрлэх үйл явцыг CVD Stand Stand Standing төхөөрөмж дээр байрлуул.
Тоног төхөөрөмжийн парсатитын Төхөөрөмжийн дээд хэмжээний электрон электрон электрон электрон цахилгаан температурыг 250-350 градусаар хянах.
Идэвхтэй тусгааны үүдний анхны багцад төгрөгийн анхны нийслэлийн бүтээгдэхүүний тодруулга, тэдгээр нь анх оо, N ₂ of the First of the First of the First Text andence and enderce or of, эсвэл 1.4-1.71.
Хоёр дахь нь шигийн эсрэг үеэр нь CVD-ийн олон түйлийн цувралыг сайжруулахад CVD-ийн хувьсгалын хоорондын цахилгаан урсгал индекс хүрээ 1.4-1.71.

Технологийн давуу талууд
By using the same growth material, the anti reflection film can achieve the same anti reflection effect compared to stacked anti reflection films of different materials, reducing the types of gas sources used, lowering the difficulty of the preparation process, and increasing the preparation space and working area due to the storage and use of gas sources during the preparation process.

Hybrid Sio ₂ / Tio ₂ ₂ ₂ ₂ ₂ ТЕРФЕРИЙН ХӨДӨЛМӨР

Тоо технологийн явц
Substrate бэлтгэх: Шилэн, органик шил, полимидын кино гэх мэт ил тод субстратыг сонгоод цэвэр, тоосжилтыг баталгаажуулахын тулд - үнэгүй гадаргууг хийнэ үү. Шаардлагатай бол ганц {{3- талт эсвэл давхар {{{{4} талт өнгөлгөөг сайжруулахын тулд өнгөлгөө хийж болно.
Принт Прасторыг бэлтгэх: TetraethoxysiliSilane (TetraetoxyIlIleAn (TTOS) ба TETRABUTHINE (TETRABABULE (TETRABABULION нь 9 {{{{1} {{{{{1 {{{{1} {{{{{- -д нэмж оруулдаг.
Бүрэх, эдгэрэх: Бэлтгэсэн солиор систем нь ил тод субстрат, шүрших, шүрших, шүрших, сойз, бусад схемийг ашиглаж болно. Бүрсэний дараа Hybrid Sio ₂ / tio ₂ ₂ ₂ Кино Предурыг зууханд хийнэ.
Дугуй бүрхүүл: Хүссэн эффектийг авах хүртэл бүрэх, эдгэрэлтийн үйл явцыг давтаж давтана. Өөр өөр өөр бүрээс, дараалал нь тусгалын эсрэг кино, судалгаа, оновчтой байдлыг хангахад нөлөөлнө.
Гадаргуугийн эмчилгээнд: ХӨГЖҮҮЛЭГЧДИЙН ХУГАЦААНЫ ТУХАЙ ХӨДӨЛМӨРИЙН ТӨЛӨВЛӨГӨӨНИЙ ТУХАЙ, ГИДООP, Hydrophic Polymer-ийг хамгаалахын тулд хальснаас бүрдсэн.

Хэт улаан туяаны эсрэг цацруулагч киноны үйлдвэрлэл
Тоо технологийн явц
Хэт улаан туяаны тусгалын хальс нь силикон дээр суурилсан бөгөөд субстратын эсрэг талын тусгал кинон дээр суурилдаг. Share Sherry Syney Contice Code Code бүтцийг (HL) ^ s нь бие биенээсээ хараат бус байна. SI Layer нь субстраттай зэргэлдээ байдаг бөгөөд Sio Layer нь гадаргуу дээр байрладаг. Хуурамч процесс нь Sio Cover Linter-ийг субстратын давхаргатай хавсаргаж, өндөр гадаргуутай, нэмэлт хамгаалалтын давхарга шаарддаггүй. Нэмж дурдахад Sio нь гадаргуугийн тусгалыг бууруулж, гадаргуугийн тусгалыг бууруулж, улмаар гадаргуутай дамжуулалтыг нэмэгдүүлэх боломжтой.

Өндөр {{0 {0-}} температурт тэсвэртэй CO ₂ ₂ Лазер эсрэг цацруулагч кино
Технологийн явц
Материалын өмнөх хайлалт: Тусдаа хайлуулахын тулд хайлтын өмнөх хайлтын эмчилгээ, Кальцийн флюмиум, Кальцийн флюзид, Кальцийн хайлалт, Кальцийн флюзид, Кальцийн флюзидын хальс, Кальцийн флюзидын калори, Кальцийн хайлалт материалууд.
ХУДАЛДААНЫ КОДЕРИЙН ХУГАЦАА: Анхны YTTRIZE SELLION LEATER, PONTRINE SERNERIED LEACED нь POSLEMESER SERNEREDER-ийг 3 ± 0 ± 0 ± 0 ± 0 ± 0 ± 0 ± 0.3мм-ийн давхаргад хадгалдаг. Давхарга тус бүрийн хамрах хүрээ тус бүр нь субстрат давхаргын гадаргуугийн 95% -иас гаруй байдаг. Давхарга бүрт бие махбодийн зузаан чадвар нь дараахь байдлаар: Эхний YTTRIMIE FLOONINE Lay Suger-ийн бие махбодийн зузаан нь 95-100 нанометр юм; YTTERBIMIMIMIMIE CQUIECHIECE-ийн биетний биет зузаан нь 860-870-870 нанометр; Цайр Селенотодын давхар нь 240-250 нанометр юм; Хоёр дахь YTTRIMIE FLEORIED LESTER-ийн биет зузаан нь 95-100 нанометр юм.
 

Технологийн давуу талууд
Бэлэн болсон Шийдвэрлэгээний тэмдгийн мембран нь энгийн бүтэц, тансаг загвартай. Дөрвөн давхаргын хослол нь өндөр температурын эсэргүүцэлтэй, өндөр температурт тэсвэртэй, хатуу мембран давхарга, мембран давхаргын хоорондох стресс, мөн мембран давхаргуудын хоорондох нэмэлт стресс юм. Энэ нь өндөр температурын нөхцөлд тасралтгүй температурын тасралтгүй үйл ажиллагааг хангаж, давхаргын хувьд ашигласан материал нь цацраг, хүрээлэн буй орчинд гэмтэл учруулахгүй.